“UNA BREVE DOCUMENTAZIONE SULL'ESPERIMENTO
DI HAYNES E SHOTKLEY SUI SEMICONDUTTORI,
CON APPROFONDIMENTO SULLA ELETTRONICA
UTILIZZATA PER LA SUA REALIZZAZIONE”
Seminario dello studente Enrico Viarani per il corso di "Ottica Elettronica"
Prof. G. Zanarini
Bologna
28/4/93
 
Facoltà di Scienze MM FF NN di Bologna,
Corso di Laurea in Fisica
AA 1992/93

Parole Chiave: Microelettronica, Effetto Shotkley


INDICE:
 1-Breve spiegazione del fenomeno fisico, Pag. 3

 2-Traduzione della teoria dell'esperimento nella pratica: sua filosofia, prima realizzazione di Haynes e Shotkley (da ora H S), realizzazione Sconza e Torzo (da ora S T), Pag. 3

 3-Analisi dello schema S T con riguardo alle due giunzioni ed in particolare a quella di collettore: spiegazione del fenomeno fisico, Pag. 5

 4-Analisi della scheda con sweeper ed impulsatore e di quella con amplificatore differenziale, Pag. 5

 5-Studio del supporto e del  sistema di posizionamento dei contatti, Pag. 7

 6-Semiconduttore campione: caratteristiche e preparazione, Pag. 9

 7-Grandezze misurabili con questo esperimento, Pag. 9

  -Bibliografia, Pag. 12


Abstract
L'esperimento di H S si basa su questo principio: in una sbarretta di semiconduttore monocristallino drogato, viene creato un campo elettrico da un'estremità all'altra. Successivamente viene inviato in un punto del campione un breve impulso di portatori minoritari di carica, i quali vengono trasportati dal campo suddetto lungo la sbarra. Se ne riveliamo il passaggio in un punto "a valle" della zona di emissione (prima che essi si ricombinino e prima che il numero di urti da loro subìto diventi tale da disperderli), studiando le caratteristiche dell'impulso letto, potremo trarre notizie su velocità di deriva, vita media e coefficiente di diffusione del cristallo. Questo lavoro documenta la parte sperimentale svolta dai professori A. Sconza e G. Torzo del Dip. di Fisica dell'Università di Padova.

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